Учені створили надшвидку пам`ять

13:59, 12 грудня 2006 р. 11459
Джерело: «Аратта-Україна»

Група американських учених, до числа яких увійшли фахівці з IBM, Macronix і Qimonda, оголосила про створення нового типу модулів пам'яті. Завдяки цій розробці, що отримала назву PRAM (пам'ять із зміною фази), тривалість і швидкість роботи плеєрів, мобільних телефонів і цифрових камер істотно зросте, повідомляє AFP.

512 Мб PRAM (прототип Samsung)

Як заявляють винахідники, швидкість роботи створених модулів PRAM (Phase-change Random Access Memory) перевершує аналогічний показник флэш-пам'яті (найбільш поширений тип пам'яті, використовуваний при створенні мобільників, плеєрів і т.п.) в 500 - 1000 разів. При цьому за рівнем енергоспоживання PRAM істотно економічніше флеш - новий винахід споживає в два рази менше електроенергії.

За інформацією видання Techworld, у продажу подібні модулі пам'яті з'являться не раніше 2008 року. Варто відзначити, що подібними розробками займаються й інші компанії, наприклад - корейська Samsung, фахівцям якої вдалося створити прототип PRAM, що працює зі швидкістю, що в 30 разів перевищує аналогічний показник флеш-пам'яті, повідомляє Lenta.Ru.

Повна версія

Facebook

Коментарі